در حالی که حافظه‌های DDR5 به تدریج در حال فراگیر شدن هستند، صنعت سخت‌افزار با سرعت به سمت نسل بعدی حرکت می‌کند. براساس گزارش رسانه CTEE، شرکت‌های بزرگی چون سامسونگ، میکرون و SK Hynix با همکاری شرکت‌های بزرگی مثل اینتل، انویدیا و AMD، روند توسعه حافظه‌های DDR6 را تسریع کرده‌اند. این شتاب در پاسخ به تقاضای روزافزون در حوزه محاسبات فوق سریع (HPC) و هوش مصنوعی صورت گرفته است.

به نقل از WccfTech، استاندارد DDR6 یک جهش عملکردی عظیم را نسبت به نسل فعلی نوید می‌دهد. سرعت پایه این حافظه‌ها از ۸۸۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه آغاز خواهد شد که ۸۳ درصد سریع‌تر از سرعت پایه ۴۸۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه‌ای DDR5 است. این در حالی است که حداکثر سرعت تئوری برای DDR6 به ۱۷,۶۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه می‌رسد که تقریبا دو برابر سریع‌ترین ماژول‌های DDR5 امروزی است. این نسل همچنین از نظر معماری با تغییر از کانال ۲x۳۲ بیتی به ۴x۲۴ بیتی، دستخوش تحول خواهد شد.

یکی از تغییرات مهم در نسل DDR6، نیاز به طراحی اسلات جدید برای حفظ کیفیت سیگنال در سرعت‌های بالا است. در این میان، فرم فکتور جدید CAMM2 به عنوان یک راه‌حل کلیدی و تغییردهنده در نظر گرفته شده است و انتظار می‌رود با عرضه DDR6، استفاده از آن نیز گسترش یابد.

طبق زمان‌بندی فعلی، فرآیند آزمایش و اعتبارسنجی پلتفرم‌ها تا سال ۲۰۲۶ به پایان خواهد رسید و اولین محصولات مجهز به حافظه DDR6 در سال ۲۰۲۷، ابتدا در سرورهای نسل جدید، به کار گرفته خواهند شد. همانند نسل‌های گذشته، پیش‌بینی می‌شود که پذیرش این فناوری در بازار مصرف‌کنندگان عادی چند سالی طول بکشد و قیمت آن نیز در سال‌های اولیه بسیار بالا باشد.