سامسونگ به عنوان یکی از اولین سازندگان HBM پیشرفت‌های خود در زمینه HBM4E را در اجلاس OCP به نمایش گذاشته است. بر اساس اطلاعات منتشر شده به نظر می‌رسد این حافظه شاهد بهبودهای نسلی چشمگیری خواهد بود و محاسبات هوش مصنوعی را به سطوح جدیدی ارتقا خواهد داد.

به گزارش بخش صنایع نیمه هادی رسانه اخبار فناوری و تکنولوژی تکنا، این غول کره‌ای در اجلاس جهانی پروژه محاسبات باز (OCP) آینده محصولات HBM خود را با جزئیاتی درباره HBM4 و HBM4E تشریح کرد. سامسونگ قصد دارد با فرآیند HBM4E به سرعت ۱۳ گیگابیت بر ثانیه در هر پشته دست یابد که پهنای باندی معادل ۳.۲۵ ترابایت بر ثانیه ارائه می‌دهد. این میزان پهنای باند تقریباً ۲.۵ برابر سریع‌تر از نسل فعلی HBM3E است.

ماژول HBM4E سامسونگ همچنین با ارقام بسیار خوبی در زمینه بهره‌وری انرژی عرضه خواهد شد. ادعا می‌شود بهره‌وری این ماژول تقریباً دو برابر نمونه HBM3E فعلی است. مهم‌تر از آن فرآیند HBM4 این شرکت به سرعت پین ۱۱ گیگابیت بر ثانیه دست یافته که به طور قابل توجهی بالاتر از استانداردهای تعیین شده توسط نهادهایی مانند JEDEC است.

این فشار برای افزایش سرعت پس از درخواست انویدیا برای تقویت راه‌حل‌های HBM4 جهت افزایش عملکرد معماری Rubin آن شرکت صورت گرفته است. گزارش‌های رسانه‌های محلی نشان می‌دهد که سامسونگ پس از عقب افتادن در رقابت HBM3E از همان مراحل اولیه توسعه HBM4 پهنای باند بالاتری را هدف‌گذاری کرده است. به نظر می‌رسد این شرکت در آستانه موفقیت در این رقابت سرعتی است.

استراتژی سامسونگ حرکت سریع به سمت نسل بعدی برای تغییر کامل موازنه قدرت در بازار است. علاوه بر افزایش عملکرد گفته می‌شود این شرکت در حال کار بر روی ساختار قیمت‌گذاری HBM4 برای انویدیا و سایرین است و برچسب قیمتی بسیار جذابی را ارائه خواهد داد.

از آنجایی که بخش مهمی از HBM4 دارای نیمه‌هادی (۴ نانومتری) داخلی است سامسونگ بخش ریخته‌گری خود را برای تولید HBM در اختیار دارد. این بدان معناست که می‌تواند حاشیه سود ماژول حافظه را کنترل کند. گفته می‌شود این غول کره‌ای حاشیه سود کمی را برای تبدیل شدن به یک تامین‌کننده عمده HBM در نظر گرفته است.

این استراتژی رقابت شدیدی را برای رقبایی مانند SK hynix و Micron ایجاد خواهد کرد. در مورد زمان عرضه HBM4E به صنعت جدول زمانی اوایل سال ۲۰۲۶ و درست همزمان با تولید انبوه HBM4 تعیین شده است.